Authors:
H. Rausch Research Institute for Telecommunication Budapest (Hungary)

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T. Bereznai Tungsram Research Laboratories Budapest (Hungary)

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J. Bogáncs Central Research Institute for Physics Budapest (Hungary)

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Résumé  

On rapporte les recherches faites sur les couches épitaxiques déposées sur des substrats dopés en arsenic, antimoine et phosphore. On étudie les couches critiques par analyse par activation et autoradiographie. On détermine les répartitions des concentrations des éléments dopants et des traces d'impuretés les plus fréquentes, telles que l'or, le cuivre et le sodium, dans la couche superficielle et dans l'interface film-substrat des couches homoépitaxiques de silicium. Dans les conditions expérimentales données, on trouve que la concentration contaminante minimum décelable est d'environ 1013 atomes/cm3.

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Journal of Radionalytical and Nuclear Chemistry
Language English
Size A4
Year of
Foundation
1968
Volumes
per Year
1
Issues
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12
Founder Akadémiai Kiadó
Founder's
Address
H-1117 Budapest, Hungary 1516 Budapest, PO Box 245.
Publisher Akadémiai Kiadó
Springer Nature Switzerland AG
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Responsible
Publisher
Chief Executive Officer, Akadémiai Kiadó
ISSN 0236-5731 (Print)
ISSN 1588-2780 (Online)